DI007C04SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI007C04SQ Complementary MOSFET MOSFET, SO-8, N+P, 40V, 7A, 24mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	4.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI007C04SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	7 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.024 Ω
	@ ID	6 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	5.6 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.055 Ω
	@ ID	-4 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.8 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	14 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1.4 V
	VGSth max	2.4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	7 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	8.8 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2.5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	20 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1060 pF
Ausgangskapazität	Coss	84 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	58 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	4.2 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	11.8 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	71 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	40 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.6 Ω