DI006N06PW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI006N06PW MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 65V, 6A, 20mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI006N06PW

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	6 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.02 Ω
	@ ID	6 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.03 Ω
	@ ID	5 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.67 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	80 A
	@ tp	10 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.4 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	9 ns
Anstiegszeit	tr	23 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	8 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	10 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	403 pF
Ausgangskapazität	Coss	154 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	17 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	7 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.05 g
Kennzeichnung	Marking	NQ
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	75 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	50 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	9 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω