DI006N06PW-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI006N06PW-AQ MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 65V, 6A, 20mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	12.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI006N06PW-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	6 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.02 Ω
	@ ID	6 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.03 Ω
	@ ID	5 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.67 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	80 A
	@ tp	10 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.4 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	9 ns
Anstiegszeit	tr	23 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	8 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	10 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	403 pF
Ausgangskapazität	Coss	154 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	17 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	7 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.05 g
Kennzeichnung	Marking	NQ
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	75 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	50 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	9 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω