DI005N03PWK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI005N03PWK MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 30V, 5A, 33 mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI005N03PWK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	5.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.03300 Ω
	@ ID	5.000 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	12.500 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	12.000 A
	@ tp	10 µs
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1.1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	16 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	32 ns
Abfallzeit	tf	31 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	18.4 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	1.9 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	0.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1140 pF
Ausgangskapazität	Coss	105 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	82 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.05 g
Kennzeichnung	Marking	0
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	62.5 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	270.0 K/W
	Location	Ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0 µA
	@ VGS	0 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	0 µA
	@ VDS	0 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	12 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	1000 V
Übertragungssteilheit	gfs	30 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω