DI004N06PWK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI004N06PWK MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 60V, 4A, 57mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI004N06PWK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	4 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.057 Ω
	@ ID	4 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.07 Ω
	@ ID	3 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.65 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	16 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	21 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	23 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	651 pF
Ausgangskapazität	Coss	28 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	26 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	2.8 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.05 g
Kennzeichnung	Marking	LR
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	76 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	16 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	48 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2000 V
Übertragungssteilheit	gfs	6 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω