DI001N65PTK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI001N65PTK MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 650V, 1A, 1.6Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI001N65PTK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V

Drainstrom 25°C	ID	1 A
On-Widerstand 1	RDSon1	1.6 Ω
	@ ID	1 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	0.63 A
On-Widerstand 2	RDSon2	1.4 Ω
	@ ID	1 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	32.2 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	4 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	9 ns
Anstiegszeit	tr	11 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	86 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	5.8 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	19.3 mJ
Eingangskapazität	Ciss	209 pF
Ausgangskapazität	Coss	12 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	5 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	498 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	4 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	50 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	1 µA
	@ VGS	16 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	520 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2 V
Übertragungssteilheit	gfs	2.2 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	5 Ω