DI001N60U
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI001N60U MOSFET, SOT-89, N, 600V, 1A, 15Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	1.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI001N60U

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-89
Qualification	Industrial Grade
Config	single NFET without Pin
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drainstrom 25°C	ID	1 A
On-Widerstand 1	RDSon1	15 Ω
	@ ID	0.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.055 Ω
	@ ID	0 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	8 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	0 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	3 ns
Anstiegszeit	tr	16 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	36 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	7.8 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	3.5 mJ
Eingangskapazität	Ciss	128 pF
Ausgangskapazität	Coss	18 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	3 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	400 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.04 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	150 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	15.6 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	30 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	10 µA
	@ VDS	600 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	30 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω