BSS806N
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	BSS806N MOSFET, SOT-23, N, 20V, 2.3A, 57mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	BSS806N

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V

Drainstrom 25°C	ID	2.3 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.057 Ω
	@ ID	2.3 A
	@ VGS	2.5 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.082 Ω
	@ ID	1.3 A
	@ VGS	1.8 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.5 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	null
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	15 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1.5 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	10 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	12 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	1.7 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	10.8 mJ
Eingangskapazität	Ciss	370 pF
Ausgangskapazität	Coss	118 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	20 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	3.3 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	TBA
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	250 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	8 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	8 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	9 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω