2N5551
Bipolare Transistoren

Produktinformationen

Produktfamilie	Bipolare Transistoren Steuerung und Signalverarbeitung
Artikelbezeichnung	2N5551 BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN, 0.625W, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	100.000
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	2N5551

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-92
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Kollektor Emitter Spannung	VCEO	160 V
DC Kollektorstrom	IC	1500 mA
Polarität	pol	NPN

Verlustleistung	Ptot	0.625 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Kollektor Basis Stromverhältnis	hfe	80
	@ VCE	5 V
	@ IC	10 mA
DC current gain (b)	hfe	30
	@ VCE	5 V
	@ IC	50 mA
DC current gain (c)	hfe	80
	@ VCE	5 V
	@ IC	1 mA
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	null A
Peak Base current	IBM	null mA
Collector Base voltage	VCBO	180 V
Emitter Base voltage	VEBO	6 V
Kollektor Sättigungsspannung	VCEsat	200 mV
	@ IC	50 mA
	@ IB	5 mA
Base saturation voltage	VBEsat	null V
	@ IC	null mA
	@ IB	null mA
Base Emitter voltage	VBE	1.2 V
Collector Base cutoff current	ICBO	50 nA
Emitter Base cutoff current	IEBO	50 nA
Transitfrequenz	ft	100 MHz
	@ IC	10 mA
	@ VCE	10 V
	@ f	100 MHz
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	200 K/W
	Location	ambient
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Nettogewicht	mnet	0.18 g
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Collector Base capacitance	CCBO	6 pF
	@ VCB	10 V
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C