SIW10C120-AQ
SiC Schottky Dioden

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC Schottky Dioden Hochfrequenz-Hochspannungs-Gleichrichtung
Artikelbezeichnung	SIW10C120-AQ SiC Schottky 10A 1200V SiC Schottky, TO-247-2L, 1200V, 10A, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85411000
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	SIW10C120-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-2L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single K
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Periodische Spitzensperrspannung	VRRM	1200 V
Dauergrenzstrom	IFAV	10 A
	@ TLoc	150 °C

	Location	Contact
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-50 °C
	Tjmax	175 °C
Durchlass-Spannung 25°C	VF	1.6 V
	@ IF	10 A
Stoßstrom in Fluss-Richtung 50Hz	IFSM	70 A
Sperrstrom 25°C	IR	60 µA
	@ VR	1200 V
Kapazitive Ladung	Qc	57 nC
	@ VR	1200 V
Nettogewicht	mnet	1.8 g
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	1.6 K/W
	Location	case
Lagerungstemperatur	Tsmin	-50 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	null K/W
	Location	null