MMFTP84KS
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP84KS gate protected MOSFET, SOT-23, P, -60V, -0.18A, 10Ω, 150°C,
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTP84KS

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drainstrom 25°C	ID	-0.18 A
On-Widerstand 1	RDSon1	10 Ω
	@ ID	-0.1 A
	@ VGS	-5 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.25 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-0.7 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	-0.8 V
	VGSth max	-2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	4 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	77 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	1.1 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0.2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	38 pF
Ausgangskapazität	Coss	9 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	6 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	58 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	556 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2000 V
Übertragungssteilheit	gfs	0.05 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω