MMFTP6312D
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP6312D MOSFET, SOT-26, P, -20V, -2.3A, 0.115Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTP6312D

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-26
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-2.3 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.115 Ω
	@ ID	-2.3 A
	@ VGS	-4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.155 Ω
	@ ID	-1.9 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.96 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	7 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	-0.4 V
	VGSth max	-1.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	4.4 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	467 pF
Ausgangskapazität	Coss	85 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	38 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	60 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	130 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	8 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	16 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	8 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	5.3 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω