MMFTP2319-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP2319-Q MOSFET, SOT-23, P, -40V, -4.2A, 80mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTP2319-Q

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V

Drainstrom 25°C	ID	-4.2 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.08 Ω
	@ ID	-3.1 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.12 Ω
	@ ID	-2.6 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.75 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-30 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	15 ns
Anstiegszeit	tr	28 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2.6 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	1179 pF
Ausgangskapazität	Coss	82 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	40 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	9 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	UJ
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	100 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	40 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	7.6 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	4.6 Ω