MMFTN6400
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN6400 MOSFET, SOT-26, N, 30V, 6.9A, 27mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	3.000
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTN6400

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-26
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	6.9 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.027 Ω
	@ ID	6.9 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	5.8 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.032 Ω
	@ ID	6 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	35 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	0.7 V
	VGSth max	1.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	4 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	26 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	7 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	635 pF
Ausgangskapazität	Coss	80 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	52 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	tbd
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	62.5 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	12 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	30 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	30 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω