MMFTN6190KDW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN6190KDW MOSFET, SOT-363, N+N, 30V, 1A, 0.28Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTN6190KDW

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-363
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	1 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.28 Ω
	@ ID	1.3 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.45 Ω
	@ ID	0.29 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.4 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	9.6 A
	@ tp	10 µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	2.8 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	9 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	30 ns
Abfallzeit	tf	16 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	2 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	87 pF
Ausgangskapazität	Coss	17 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	12 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	Z69N
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	395 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	30 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2000 V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	69.8 Ω