MMFTN501K-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN501K-Q Depletion Mode FET MOSFET, SOT-23, N, 600V, 30mA, 500Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTN501K-Q

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drainstrom 25°C	ID	0.03 A
On-Widerstand 1	RDSon1	500 Ω
	@ ID	0.016 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	500 Ω
	@ ID	0.003 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.5 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.12 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	-2.7 V
	VGSth max	-1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	60 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	100 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	2.8 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	10 pF
Ausgangskapazität	Coss	3 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	0 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	963 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	5H
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	250 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	600 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	500 V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω