MMFTN0606S
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung MMFTN0606S
MOSFET, SOT-26, N, 60V, 4.5A, 95mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 3.000
Bestand 0
Zollnummer 85412100
RoHS compliant
REACH not declarable
Bleifrei Ja
Halogenfrei Ja

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer MMFTN0606S
MMFTN0606S Single
Typ SMD
Gehäuse SOT-26
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 3
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 60 V
Drainstrom 25°C ID 4.500 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.09500 Ω
@ ID 3.600 A
@ VGS 4.5 V
Drainstrom 100°C ID 3.600 A
On-Widerstand 2 RDSon2 0.06000 Ω
@ ID 4.500 A
@ VGS 10 V
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 2 W
@ TLoc 25 °C
Location Ambient
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 18.100 A
@ tp 1 µs
Schwellspannung VGSth min 1.0 V
VGSth max 2.3 V
Einschaltverzögerung tD(on) 7 ns
Anstiegszeit tr 3 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 20 ns
Abfallzeit tf 3 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 0.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V) 4.1 nC
Gate-Drain Ladung Qgd 1.2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas 0.0 mJ
Eingangskapazität Ciss 553 pF
Ausgangskapazität Coss 138 pF
Rückwirkungskapazität Crss 12 pF
Sperrverzugsladung Qrr 26.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Nein
Nettogewicht mnet 0.01 g
Kennzeichnung Marking tbd
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 62.5 K/W
Location ambient
UL anerkannt UL-Recognition null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH null K/W
Location null
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 150 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 0.1 µA
@ VGS 20 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 1 µA
@ VDS 60 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 60 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS null V
Übertragungssteilheit gfs 7 mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi null Ω

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