MMFTC6333
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTC6333 MOSFET, SOT-26, N+P, 30V, 2.5A, 95mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTC6333

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-26
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	2.5 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.095 Ω
	@ ID	2.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.15 Ω
	@ ID	2 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.96 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	8 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	6 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	4.7 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	282 pF
Ausgangskapazität	Coss	49 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	20 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	60 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	130 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	16 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	24 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	16 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	7 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω