MMFT1020DW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFT1020DW MOSFET, SOT-363, N+P,100V, 0.270A, 1.6Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	3.000
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFT1020DW

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-363
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	0.27 A
On-Widerstand 1	RDSon1	1.6 Ω
	@ ID	0.2 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	0.2 A
On-Widerstand 2	RDSon2	1.6 Ω
	@ ID	-0.2 A
	@ VGS	-10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.277 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	5 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	15 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	3.3 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0.7 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	79 pF
Ausgangskapazität	Coss	18 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	13 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	TBA
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	450 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	80 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	0.75 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω