MMBTRC110SS-Q
Digitale Transistoren

Produktinformationen

Produktfamilie	Digitale Transistoren Digitale Steuerungen, Signalverarbeitung
Artikelbezeichnung	MMBTRC110SS-Q Biased BJT, SOT-23, NPN, 4.7kΩ, , 50V, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMBTRC110SS-Q

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single 1R
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

Polarität	pol	NPN
Widerstand	R1	4700 Ω
	R2	null Ω

Kollektor Emitter Spannung	VCEO	50 V
Collector Base voltage	VCBO	null V
Emitter Base voltage	VEBO	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
DC Kollektorstrom	IC	100 mA
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	null A
Verlustleistung	Ptot	0.2 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Ambient
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	420 K/W
	Location	ambient
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Kollektor Basis Stromverhältnis	hfe	120
	@ VCE	5 V
	@ IC	1 mA
DC current gain (b)	hfe	null
	@ VCE	null V
	@ IC	null mA
DC current gain (c)	hfe	null
	@ VCE	null V
	@ IC	null mA
Collector Base capacitance	CCBO	null pF
	@ VCB	null V
Kollektor Sättigungsspannung	VCEsat	300 mV
	@ IC	10 mA
	@ IB	0.5 mA
Input voltage on	VIon	null V
	@ VCE	null V
	@ IC	null mA
Input voltage off	VIoff	null V
	@ VCE	null V
	@ IC	null mA
Base Emitter voltage	VBE	null V
Collector Base cutoff current	ICBO	100 nA
Emitter Base cutoff current	IEBO	100 nA
Transitfrequenz	ft	200 MHz
	@ IC	5 mA
	@ VCE	10 V
	@ f	100 MHz
Kennzeichnung	Marking	XD
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax