MDE0A5C060K-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MDE0A5C060K-AQ MOSFET, SOT-563 Dual, N+P, 60V, 0.5A, 1.8Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	MDE0A5C060K-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-563
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	0.5 A
On-Widerstand 1	RDSon1	1.8 Ω
	@ ID	0.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	4.6 Ω
	@ ID	-0.1 A
	@ VGS	-10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.45 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	3.5 ns
Anstiegszeit	tr	3.2 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	12 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	TBA nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	TBA nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	TBA nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	TBA mJ
Eingangskapazität	Ciss	23.7 pF
Ausgangskapazität	Coss	5.3 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	2.5 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	QB
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	278 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2000 V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	TBA Ω