DIW085N06-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIW085N06-Q MOSFET, TO-247-3L, N, 65V, 85A, 9.1mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS
REACH
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW085N06-Q

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	85 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0091 Ω
	@ ID	40 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	60 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	240 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	340 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	22 ns
Anstiegszeit	tr	61 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	67 ns
Abfallzeit	tf	28 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	80 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	31 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	450 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3704 pF
Ausgangskapazität	Coss	231 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	219 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	44 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.52 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	63 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	65 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	65 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	2.5 Ω