DIW040S120
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren) Leistungsschalter für Umrichter
Artikelbezeichnung	DIW040S120 IGBT, TO-247-3L, N-reSonant, 1200 V, 40 A
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW040S120

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Kollektor-Emitter Spannung S	VCES	1200 V
DC Kollektor Strom 100°C	IC100	40 A
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	120 A

Polarität	pol	N (reSonant)
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-40 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	395 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Gate-Emitter Schwellspannung	VGEthmin	5 V
	VGEth	6 V
	VGEthmax	7 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	VCEsat100	2.1 V
	@ IC100	40 A
	@ VGE	15 V
Anstiegszeit	tr	69 ns
Abfallzeit	tf	251 ns
Nettogewicht	mnet	6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.28 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s