DIW004N150P
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DIW004N150P
MOSFET, TO-3P, N, 1500V, 4A, 6.5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge 450
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption
REACH declarable
Bleifrei Nein
Halogenfrei Nein

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DIW004N150P
DIW004N150P Single
Typ Wire-lead
Gehäuse TO-3P
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL n/a
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 1500 V
Drainstrom 25°C ID 4 A
On-Widerstand 1 RDSon1 6.5 Ω
@ ID 2.000 A
@ VGS 10 V
Drainstrom 100°C ID 2.8 A
On-Widerstand 2 RDSon2
@ ID
@ VGS
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 35.000 W
@ TLoc 25 °C
Location Contact
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 16 A
@ tp 10000 µs
Schwellspannung VGSth min 3 V
VGSth max 5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 36.0 ns
Anstiegszeit tr 20.0 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 56.0 ns
Abfallzeit tf 32.0 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 38.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung Qgd 15 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas 227.0 mJ
Eingangskapazität Ciss 2050 pF
Ausgangskapazität Coss 98 pF
Rückwirkungskapazität Crss 3 pF
Sperrverzugsladung Qrr 6.5 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
Nettogewicht mnet 6 g
Kennzeichnung Marking Type
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 3.8 K/W
Location case
UL anerkannt UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH 40.0 K/W
Location ambient
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 150 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 0.1 µA
@ VGS 30 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 25 µA
@ VDS 1500 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 30 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS
Übertragungssteilheit gfs
Innerer Gate-Widerstand RGi

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