DI4A0C02PW-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI4A0C02PW-Q MOSFET, PowerQFN 2x2, N+P, 20V, 6A, 25mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	4.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI4A0C02PW-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2-Dual
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Dual Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V

Drainstrom 25°C	ID	6 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.025 Ω
	@ ID	5 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0 Ω
	@ ID	0 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	20 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	0 ns
Anstiegszeit	tr	0 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	0 ns
Abfallzeit	tf	0 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	7.65 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	1.89 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	452 pF
Ausgangskapazität	Coss	75 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	65 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.05 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	62.5 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	10 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	10 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω