DI3A0N120D2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI3A0N120D2 MOSFET, D2PAK, N, 1200V, 3A, 7.5Ω, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI3A0N120D2

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V

Drainstrom 25°C	ID	3 A
On-Widerstand 1	RDSon1	7.5 Ω
	@ ID	1.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	1.9 A
On-Widerstand 2	RDSon2	7.5 Ω
	@ ID	1.5 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	200 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	12 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	25 ns
Anstiegszeit	tr	48 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	57 ns
Abfallzeit	tf	52 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	45 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	21.2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	30 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1728 pF
Ausgangskapazität	Coss	101 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	9 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	6.6 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.62 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	50 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	30 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	25 µA
	@ VDS	1200 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	30 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	2 Ω