DI300N10BTL
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI300N10BTL
MOSFET, TOLL, N, 100V, 300A, 1.6mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge 2.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption
REACH declarable
Bleifrei Nein
Halogenfrei Nein

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI300N10BTL
DI300N10BTL Single
Typ SMD
Gehäuse HSOF-8/TOLL
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 1
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 100 V
Drainstrom 25°C ID 300 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.0016 Ω
@ ID 20 A
@ VGS 10 V
Drainstrom 100°C ID 248 A
On-Widerstand 2 RDSon2 null Ω
@ ID null A
@ VGS null V
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 175 °C
Verlustleistung Ptot 330 W
@ TLoc 25 °C
Location Contact
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 1400 A
@ tp 100 µs
Schwellspannung VGSth min 2.4 V
VGSth max 3.6 V
Einschaltverzögerung tD(on) 56 ns
Anstiegszeit tr 80 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 34 ns
Abfallzeit tf 17 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 150 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V) null nC
Gate-Drain Ladung Qgd 38 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas 1500 mJ
Eingangskapazität Ciss 9730 pF
Ausgangskapazität Coss 3160 pF
Rückwirkungskapazität Crss 37 pF
Sperrverzugsladung Qrr 330 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
Nettogewicht mnet 2 g
Kennzeichnung Marking Type
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 0.45 K/W
Location case
UL anerkannt UL-Recognition null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH 35 K/W
Location ambient
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 175 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 0.1 µA
@ VGS 20 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 1 µA
@ VDS 100 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 20 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS null V
Übertragungssteilheit gfs 141 mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi 0.6 Ω

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