DI212N14TL
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI212N14TL MOSFET, TOLL, N, 140V, 212A
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI212N14TL

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	140 V

Drainstrom 25°C	ID	212 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0035 Ω
	@ ID	50 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	149 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	277 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	848 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	TBA ns
Anstiegszeit	tr	TBA ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	TBA ns
Abfallzeit	tf	TBA ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	TBA nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	TBA nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	57 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	TBA mJ
Eingangskapazität	Ciss	TBA pF
Ausgangskapazität	Coss	TBA pF
Rückwirkungskapazität	Crss	TBA pF
Sperrverzugsladung	Qrr	TBA nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	2 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.54 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	35 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	120 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	TBA mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	TBA Ω