DI175N04PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI175N04PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 175A, 1.25mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI175N04PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	175 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0018 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	123.7 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0013 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	75 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	700 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.3 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	53 ns
Anstiegszeit	tr	42 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	45 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	130 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	58 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	13 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	420.4 mJ
Eingangskapazität	Ciss	9412 pF
Ausgangskapazität	Coss	1792 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	151 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	92 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	2 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	45 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	16 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	32 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	50 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω