DI170SIC1050D7
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DI170SIC1050D7 1700V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-263-7L, N, 7.7A, 1700V, 1050mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI170SIC1050D7

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263-7L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

Drain-Source-Spannung	VDS	1700 V
Drainstrom 25°C	ID	7.700 A
On-Widerstand 1	RDSon1	1.05000 Ω

	@ ID	2 A
	@ VGS	15 V
On-Widerstand 2	RDSon2	0.64000 Ω
	@ ID	2 A
	@ VGS	18 V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	21 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Drainstrom 100°C	ID	5.400 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	12.000 A
	@ tp	10 µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	127.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	3.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	13 ns
Anstiegszeit	tr	29 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	113 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	111.20 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	0.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	8.3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	230 pF
Ausgangskapazität	Coss	21 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	6 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	13.0 nC
Avalanche	Ja
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	1.2 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	40 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s