DI120SIC081D7
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DI120SIC081D7 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-263-7L, N, 24A, 1200V, 81mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI120SIC081D7

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263-7L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
Drainstrom 25°C	ID	24 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.081 Ω

	@ ID	12 A
	@ VGS	18 V
On-Widerstand 2	RDSon2	0.15 Ω
	@ ID	12 A
	@ VGS	18 V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	18 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Drainstrom 100°C	ID	17 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	52 A
	@ tp	null µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	93 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Schwellspannung	VGSth min	2.8 V
	VGSth max	4.8 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	27 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	0.24 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	55 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	23 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	1550 pF
Ausgangskapazität	Coss	56 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	5 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	245 nC
Avalanche	Nein
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	1.6 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	TBA K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	1510 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s