DI120N10PQ-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Downloads & Links
Technische Daten
Verwandte Produkte
News und Updates
Muster anfragen

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI120N10PQ-Q
MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 120A
Mindestbestellmenge 5.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption
REACH not declarable
Bleifrei Nein
Halogenfrei Ja

Downloads & Links

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI120N10PQ-Q
DI120N10PQ-Q Single
Typ SMD
Gehäuse PowerQFN 5x6
Qualification AEC-Q compliant
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 3
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 100 V
Drainstrom 25°C ID 120 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.0045 Ω
@ ID 30 A
@ VGS 10 V
Drainstrom 100°C ID 0 A
On-Widerstand 2 RDSon2 0 Ω
@ ID 0 A
@ VGS 0 V
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 131.6 W
@ TLoc 25 °C
Location Contact
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 480 A
@ tp 10000 µs
Schwellspannung VGSth min 2 V
VGSth max 4 V
Einschaltverzögerung tD(on) 33 ns
Anstiegszeit tr 39 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 67.1 ns
Abfallzeit tf 32 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 111.2 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V) null nC
Gate-Drain Ladung Qgd 27.3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas 320 mJ
Eingangskapazität Ciss 6865 pF
Ausgangskapazität Coss 740 pF
Rückwirkungskapazität Crss 21 pF
Sperrverzugsladung Qrr 97.3 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
Nettogewicht mnet 0.1 g
Kennzeichnung Marking Type
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 0.95 K/W
Location case
UL anerkannt UL-Recognition null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH 25 K/W
Location ambient
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 150 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 0.1 µA
@ VGS 20 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 1 µA
@ VDS 100 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 20 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS null V
Übertragungssteilheit gfs 62 mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi 1.3 Ω

News und Updates

  • Filter:

Referenz-Diagramme

Keine Einträge gefunden.

Muster anfragen

An Error Occurred: Internal Server Error

Oops! An Error Occurred

The server returned a "500 Internal Server Error".

Something is broken. Please let us know what you were doing when this error occurred. We will fix it as soon as possible. Sorry for any inconvenience caused.

An Error Occurred: Internal Server Error

Oops! An Error Occurred

The server returned a "500 Internal Server Error".

Something is broken. Please let us know what you were doing when this error occurred. We will fix it as soon as possible. Sorry for any inconvenience caused.