DI120N10PQ-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI120N10PQ-Q MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 120A
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI120N10PQ-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	120 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0045 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	0 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0 Ω
	@ ID	0 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	131.6 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	480 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	33 ns
Anstiegszeit	tr	39 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	67.1 ns
Abfallzeit	tf	32 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	111.2 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	27.3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	320 mJ
Eingangskapazität	Ciss	6865 pF
Ausgangskapazität	Coss	740 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	21 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	97.3 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.95 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	25 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	100 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	62 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.3 Ω