DI115N06PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI115N06PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 115A, 25mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI115N06PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	115 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0025 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	72.5 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0036 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	78.9 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	480 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	26 ns
Anstiegszeit	tr	44 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	6 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	78.5 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	40 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	18 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	185.4 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4128 pF
Ausgangskapazität	Coss	1245 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	34 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	33 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	1.9 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	39 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	62.1 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.2 Ω