DI114N06PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI114N06PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 65V, 114A, 3mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI114N06PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	114 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.003 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	72.5 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	63.8 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	480 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	3.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	26 ns
Anstiegszeit	tr	44 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	6 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	78.5 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	18 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	185 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4130 pF
Ausgangskapazität	Coss	1245 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	34 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	33 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	1.96 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	39 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	65 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	62.1 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.2 Ω