DI100P06D1K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI100P06D1K Gate Protected MOSFET, DPAK, P, -60V, -100A, 6.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI100P06D1K

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	-100 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0065 Ω
	@ ID	15 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	-63 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0 Ω
	@ ID	0 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	160 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-400 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	-1.5 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	19 ns
Anstiegszeit	tr	46 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	73 ns
Abfallzeit	tf	51 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	70 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	11 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	882 mJ
Eingangskapazität	Ciss	5608 pF
Ausgangskapazität	Coss	931 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	42 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.78 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	62 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	TBA mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω