DI097N15D2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI097N15D2 MOSFET, D2PAK, N, 150V, 97A, 11 mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI097N15D2

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	Commercial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	150 V

Drainstrom 25°C	ID	97 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.011 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	60 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.018 Ω
	@ ID	18 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	166 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	390 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	27 ns
Anstiegszeit	tr	27 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	78 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	41 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	20.5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	196 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3924 pF
Ausgangskapazität	Coss	356 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	29 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	302 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	1.6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.75 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	35 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	120 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	52 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.2 Ω