DI080N10PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
Produktinformationen
| Produktfamilie | MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz |
|---|---|
| Artikelbezeichnung |
DI080N10PQ-AQ
MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 80A, AEC-Q101 |
| Mindestbestellmenge | 5.000 |
| Bestand | 0 |
| Zollnummer | 85412900 |
| RoHS | compliant with exemption 7(a)-I |
| REACH | declarable |
| Bleifrei | Nein |
| Halogenfrei | Nein |
Downloads & Links
Verfügbarkeit bei Distributoren
Technische Daten
| Artikelnummer | DI080N10PQ-AQ | |
|---|---|---|
|
||
| Typ | SMD | |
| Gehäuse | PowerQFN 5x6 | |
| Qualification | AEC-Q101 | |
| Config | Single | |
| Life Cycle | engineering sample | |
| ESD sensitive | Nein | |
| MSL | 3 | |
| ESD Schutz | ESD protected | Nein |
| Polarität | pol | N |
| Drain-Source-Spannung | VDS | 100 V |
| Drainstrom 25°C | ID | 80 A |
| On-Widerstand 1 | RDSon1 | 0.005 Ω |
| @ ID | 50 A | |
| @ VGS | 10 V | |
| Drainstrom 100°C | ID | 56.5 A |
| On-Widerstand 2 | RDSon2 | 0.004 Ω |
| @ ID | 50 A | |
| @ VGS | 10 V | |
| Sperrschicht Temperatur | Tjmin | -55 °C |
| Tjmax | 175 °C | |
| Verlustleistung | Ptot | 60 W |
| @ TLoc | 25 °C | |
| Location | Contact | |
| Avalanche | Ja | |
| Drain-Spitzenstrom | IDM | 480 A |
| @ tp | 10000 µs | |
| Schwellspannung | VGSth min | 3 V |
| VGSth max | 4 V | |
| Einschaltverzögerung | tD(on) | 26 ns |
| Anstiegszeit | tr | 43 ns |
| Ausschaltverzögerung | tD(off) | 43 ns |
| Abfallzeit | tf | 8 ns |
| Gesamte Gate-Ladung (10V) | Qg (10V) | 75 nC |
| Gesamte Gate-Ladung (4.5V) | Qg (4.5V) | null nC |
| Gate-Drain Ladung | Qgd | 22 nC |
| Einzelpuls Avalanche-Energie | Eas | 144 mJ |
| Eingangskapazität | Ciss | 3742 pF |
| Ausgangskapazität | Coss | 698 pF |
| Rückwirkungskapazität | Crss | 34 pF |
| Sperrverzugsladung | Qrr | 106 nC |
| Flammbarkeitsklasse Gehäuse | UL94-V0 | Ja |
| Nettogewicht | mnet | 0.1 g |
| Kennzeichnung | Marking | Type |
| Wärmewiderst. Sperrschicht | RTH | 2.5 K/W |
| Location | case | |
| UL anerkannt | UL-Recognition | null |
| Wärmewiderst. Sperrschicht (b) | RTH | 50 K/W |
| Location | ambient | |
| Lagerungstemperatur | Tsmin | -55 °C |
| Tsmax | 150 °C | |
| Löt- und Einbaubedingungen | Solder & Assembly | 260°/10s |
| Gate-Source Leckstrom | IGSS | 0.1 µA |
| @ VGS | 20 V | |
| Drain-Source Leckstrom | IDSS | 1 µA |
| @ VDS | 80 V | |
| Gate-Source-Spannung DC | VGSS | 20 V |
| Gate-Source-Spannung ESD | VGSS | null V |
| Übertragungssteilheit | gfs | 104 mA/V |
| Innerer Gate-Widerstand | RGi | 1 Ω |
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