DI065SIC020TL-AQ
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DI065SIC020TL-AQ SiC MOSFET, TOLL, N, 140A, 650V, 20mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI065SIC020TL-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

Drain-Source-Spannung	VDS	650 V
Drainstrom 25°C	ID	140 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.002 Ω

	@ ID	75 A
	@ VGS	18 V
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	18 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Drainstrom 100°C	ID	98 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	600 A
	@ tp	null µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-40 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	288 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	49 ns
Anstiegszeit	tr	39 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	65 ns
Abfallzeit	tf	17 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	2.03 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	290 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	77 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	6900 pF
Ausgangskapazität	Coss	290 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	25 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	940 nC
Avalanche	Nein
Nettogewicht	mnet	2 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.52 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	35 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-40 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s