DI060N10D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI060N10D1 MOSFET, DPAK, N, 100V, 60A, 8.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI060N10D1

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	60 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0085 Ω
	@ ID	15 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	37 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.011 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	54.3 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	300 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	0 V
	VGSth max	1.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	19 ns
Anstiegszeit	tr	20 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	56 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	17 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	132 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2551 pF
Ausgangskapazität	Coss	495 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	34 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	55 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	1.78 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	50 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	35 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω