DI057N08PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI057N08PT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 80V, 57A, 7mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI057N08PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	80 V

Drainstrom 25°C	ID	57 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.007 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	40 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.009 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	41.6 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	252 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	24 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	14 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	33 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	17 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	9 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	12.8 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1635 pF
Ausgangskapazität	Coss	590 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	18 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	34 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	3.6 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	62.5 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	16 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	64 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	26 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	0.9 Ω