DI050P04D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050P04D1 MOSFET, DPAK, P, -40V, -50A, 10.5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	10.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI050P04D1

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V

Drainstrom 25°C	ID	-50 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.015 Ω
	@ ID	-12 A
	@ VGS	-4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	-31 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0105 Ω
	@ ID	-16 A
	@ VGS	-10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	55 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-200 A
	@ tp	10000000 µs
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	42 ns
Anstiegszeit	tr	34 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	84 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	27 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	7 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	51 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3025 pF
Ausgangskapazität	Coss	285 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	182 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	04P150
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	2.27 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	61 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	40 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	23 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	3.1 Ω