DI050P03PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050P03PT MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -30V, -50A, 8mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI050P03PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-30 V

Drainstrom 25°C	ID	-50 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.008 Ω
	@ ID	-20 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-31 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.013 Ω
	@ ID	-15 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	39 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-200 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	-1.2 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	21 ns
Anstiegszeit	tr	54 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	27 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	70 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	13 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	43.4 mJ
Eingangskapazität	Ciss	3721 pF
Ausgangskapazität	Coss	380 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	293 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	8 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	1.25 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	50 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	23 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	2 Ω