DI050N06D2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI050N06D2
MOSFET, D2PAK, N, 60V, 50A, 16mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 2.500
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption
REACH declarable
Bleifrei Nein
Halogenfrei Nein

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI050N06D2
DI050N06D2 Single
Typ SMD
Gehäuse TO-252AA/D-PAK
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 3
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 60 V
Drainstrom 25°C ID 50 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.01250 Ω
@ ID 20.000 A
@ VGS 10 V
Drainstrom 100°C ID 50.000 A
On-Widerstand 2 RDSon2 16.00000 Ω
@ ID 20.000 A
@ VGS 10 V
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 69.400 W
@ TLoc 25 °C
Location Contact
Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM 200.000 A
@ tp 10000000 µs
Schwellspannung VGSth min 1.2 V
VGSth max 2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 10.5 ns
Anstiegszeit tr 21.2 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 35.0 ns
Abfallzeit tf 13.0 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 46.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V) null nC
Gate-Drain Ladung Qgd 7.5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas 96.8 mJ
Eingangskapazität Ciss 2690 pF
Ausgangskapazität Coss 120 pF
Rückwirkungskapazität Crss 98 pF
Sperrverzugsladung Qrr 72.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
Nettogewicht mnet 0.32 g
Kennzeichnung Marking Type
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 1.8 K/W
Location case
UL anerkannt UL-Recognition null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH 48.0 K/W
Location ambient
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 150 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 0 µA
@ VGS 20 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 1 µA
@ VDS 60 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 20 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS null V
Übertragungssteilheit gfs 36 mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi 0.6 Ω

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