DI050N04BPT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050N04BPT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 50A, 7mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI050N04BPT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	50 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.007 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	35 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.012 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	35.7 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.1 V
	VGSth max	2.4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	64 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	21 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	48 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	22.5 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	10 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	32.5 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2280 pF
Ausgangskapazität	Coss	173 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	119 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	8 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	4.2 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	62.5 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	40 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	31 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	2 Ω