DI049N06PTK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI049N06PTK Gate protected MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 65V, 49A, 6.1mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI049N06PTK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	65 V

Drainstrom 25°C	ID	49 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0061 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	32 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.01 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	25 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	300 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	25 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	13 ns
Abfallzeit	tf	16 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	31 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	8 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	4.1 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1691 pF
Ausgangskapazität	Coss	604 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	37 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	8 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	6N055
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	5 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	50 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	65 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	4000 V
Übertragungssteilheit	gfs	34 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1 Ω