DI038N04PQ2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI038N04PQ2-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 45V, 38A, 13.5mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI038N04PQ2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6-Dual
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	45 V

Drainstrom 25°C	ID	38 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0135 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	23 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.018 Ω
	@ ID	8 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	21 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	160 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	16 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	9 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	15 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	36 mJ
Eingangskapazität	Ciss	830 pF
Ausgangskapazität	Coss	260 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	20 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	7 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	6E4N120
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	5.9 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	58 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	16 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	36 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	14 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.3 Ω