DI023P10PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI023P10PT
MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -100V, -22A, 68mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge 5.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant
REACH not declarable
Bleifrei Ja
Halogenfrei Ja

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI023P10PT
DI023P10PT Single
Typ SMD
Gehäuse PowerQFN 3x3
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Ja
MSL 3
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -100 V
Drainstrom 25°C ID -23.000 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.06800 Ω
@ ID -12.000 A
@ VGS -10 V
Drainstrom 100°C ID -16.000 A
On-Widerstand 2 RDSon2 0.08500 Ω
@ ID -8 A
@ VGS -4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 175 °C
Verlustleistung Ptot 42.000 W
@ TLoc 25 °C
Location Contact
Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM -80.000 A
@ tp 100 µs
Schwellspannung VGSth min -1 V
VGSth max -2.6 V
Einschaltverzögerung tD(on) 8.0 ns
Anstiegszeit tr 14.0 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 20.0 ns
Abfallzeit tf 13.0 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 22.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V) 10.7 nC
Gate-Drain Ladung Qgd 5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas 103.0 mJ
Eingangskapazität Ciss 1259 pF
Ausgangskapazität Coss 245 pF
Rückwirkungskapazität Crss 11 pF
Sperrverzugsladung Qrr 119.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
Nettogewicht mnet 0.1 g
Kennzeichnung Marking Type
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 3.5 K/W
Location case
UL anerkannt UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH 62.5 K/W
Location ambient
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 175 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 0.1 µA
@ VGS -20 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 1 µA
@ VDS -100 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 20 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS
Übertragungssteilheit gfs 20 mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi 10.0 Ω

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