DI020P06PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI020P06PT MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -60V, -20A, 45mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI020P06PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drainstrom 25°C	ID	-20 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.045 Ω
	@ ID	-10 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-12.6 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.05 Ω
	@ ID	-8 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	35.7 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-70 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	18 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	34 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	16 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	26.4 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2089 pF
Ausgangskapazität	Coss	99 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	50 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	10 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	4.2 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	45 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	18.7 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	6.4 Ω