DI015N65D2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI015N65D2-AQ MOSFET, D2PAK, N, 650V, 15A, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI015N65D2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V

Drainstrom 25°C	ID	15 A
On-Widerstand 1	RDSon1	181 Ω
	@ ID	12 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	9.4 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	nul V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	57.6 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	60 A
	@ tp	10000000 µs
Schwellspannung	VGSth min	3 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	TBA ns
Anstiegszeit	tr	TBA ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	TBA ns
Abfallzeit	tf	TBA ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	TBA nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	TBA nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	TBA nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	TBA mJ
Eingangskapazität	Ciss	TBA pF
Ausgangskapazität	Coss	TBA pF
Rückwirkungskapazität	Crss	TBA pF
Sperrverzugsladung	Qrr	TBA nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	2 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	50 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	650 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	TBA mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	TBA Ω