DI010N03PW-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI010N03PW-Q MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 30V, 10A
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI010N03PW-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	10 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.012 Ω
	@ ID	10 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.016 Ω
	@ ID	9 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.4 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	50 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	16 ns
Anstiegszeit	tr	72 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	16 ns
Abfallzeit	tf	22 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	25 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	6 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	20 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1120 pF
Ausgangskapazität	Coss	150 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	105 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	4 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.05 g
Kennzeichnung	Marking	MY
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	89 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	tbd mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.8 Ω